立式LPCVD
產(chǎn)品概述
采用低壓化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在基片表面生長氮化硅、摻雜多晶硅等功能薄膜，為器件提供鈍化封裝與介質(zhì)隔離解決方案。
產(chǎn)品特點(diǎn)
薄膜均勻性優(yōu)化設(shè)計(jì)：通過工藝參數(shù)調(diào)控，實(shí)現(xiàn)氮化硅、氧化硅等薄膜的均勻沉積。
高潔凈工藝環(huán)境構(gòu)建：腔體設(shè)計(jì)滿足半導(dǎo)體薄膜沉積的高純度要求。
自動(dòng)化生產(chǎn)集成：設(shè)備適配智能化產(chǎn)線，提升薄膜制備效率與一致性。
技術(shù)指標(biāo)
晶圓尺寸：8英寸(兼容6英寸)
溫度范圍：500°C-800°C
恒溫區(qū)長度：860mm
裝載片量：150片/批
溫度均勻性：±1°C
應(yīng)用場(chǎng)景
適用材料：8 英寸及以下晶圓。
適用工藝：低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD），用于沉積氮化硅、氧化硅、多晶硅等薄膜。
適用領(lǐng)域：半導(dǎo)體器件薄膜制備、集成電路工藝。
產(chǎn)品類別
工業(yè)版
關(guān)鍵詞
半導(dǎo)體裝備
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