立式低溫退火爐
產(chǎn)品概述
低溫條件下下實(shí)施精準(zhǔn)熱處理，消除晶圓界面晶格缺陷與金屬雜質(zhì)，或形成起到絕緣、保護(hù)、介質(zhì)隔離等作用的氧化層。以優(yōu)化材料電學(xué)特性，顯著提升器件可靠性與量產(chǎn)良率。
產(chǎn)品特點(diǎn)
高精度濕度（氧化）溫度控制：采用專業(yè)溫控系統(tǒng)，精準(zhǔn)調(diào)控中低溫區(qū)間，有效消除硅片界面缺陷，確保工藝過程的均勻性和穩(wěn)定性。
高成品率工藝保障：通過穩(wěn)定的溫控與工藝設(shè)計(jì)，提升器件電學(xué)絕緣性與光場限制效果。
先進(jìn)顆粒污染防控：搭配高效凈化技術(shù)，減少工藝過程中的顆粒干擾，保障硅片界面質(zhì)量。
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計(jì)：設(shè)備運(yùn)行穩(wěn)定，滿足光電器件制備的精密工藝要求。
規(guī)?；a(chǎn)能設(shè)計(jì)：單批次處理能力突出，適配科研與批量生產(chǎn)的效率需求。
技術(shù)指標(biāo)
晶圓尺寸：8英寸(兼容6英寸)
溫度范圍：250°C-500°C
恒溫區(qū)長度：860mm
裝載片量：150片/批
適用材料：鈮酸鋰、硅等
應(yīng)用場景
適用材料：硅、鈮酸鋰、氧化鋁等半導(dǎo)體基片。
適用工藝：中低溫氧化/退火工藝（250℃-500℃），用于消除晶格缺陷、優(yōu)化界面質(zhì)量或高質(zhì)量氧化層制備。
適用領(lǐng)域：集成電路、光電器件、MEMS。
產(chǎn)品類別
工業(yè)版
關(guān)鍵詞
半導(dǎo)體裝備
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