干法刻蝕 反應(yīng)離子刻蝕機(jī)(RIE)
產(chǎn)品概述
基于射頻放電原理的干法刻蝕設(shè)備，通過物理轟擊與化學(xué)反應(yīng)結(jié)合實(shí)現(xiàn)材料去除，適用于多種半導(dǎo)體材料刻蝕。
產(chǎn)品特點(diǎn)
數(shù)字化智能控制：工藝過程全數(shù)字化自動控制，操作簡便易上手。
恒壓自動控制：反應(yīng)壓力恒定自動調(diào)節(jié)，保障工藝重復(fù)性與穩(wěn)定性。
可配置 load lock 上料腔：減少大氣污染，提升上料效率與腔體真空保持能力。
技術(shù)指標(biāo)
晶圓尺寸8英寸及以下 |
刻蝕速率0.1-4um/min (視具體材料與工藝) |
均勻性+5% (MAX-MIN)2*AVG |
基片臺冷卻水冷 |
應(yīng)用場景
適用材料：硅、二氧化硅、氮化硅等；
核心工藝：晶體管柵極刻蝕、MEMS 結(jié)構(gòu)加工、接觸孔刻蝕；
應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路制造、微機(jī)電系統(tǒng)、光電子器件。
產(chǎn)品類別
科研版
關(guān)鍵詞
半導(dǎo)體裝備
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