干法刻蝕 離子束刻蝕機(jī)(IBE)
產(chǎn)品概述
采用離子束物理刻蝕技術(shù)，適用于難刻蝕材料的高精度加工，尤其在金屬、陶瓷等硬脆材料處理上具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。
產(chǎn)品特點(diǎn)
雙模式工件臺(tái)：單片式（角度 -90至90°可調(diào)）與多片式（圓周旋轉(zhuǎn)），適配科研與量產(chǎn)需求。
水冷低溫刻蝕：防止晶片熱損傷，適配量子芯片等敏感材料的無損傷加工。
技術(shù)指標(biāo)
工件臺(tái)單片式：6英寸及以下 多片式：2"方片x18 4"圓片x4 |
離子源考夫曼離子源(選配射頻離子源) 離子束能量：0eV~1000eV連續(xù)可調(diào) 束流：最大200mA(圓形) |
均勻性+5% (MAX-MIN)2*AVG |
基片臺(tái)冷卻水冷/氦背冷 |
應(yīng)用場(chǎng)景
適用材料：金屬、陶瓷、化合物半導(dǎo)體、石英等；
核心工藝：硬脆材料刻蝕、納米結(jié)構(gòu)加工、離子銑削；
應(yīng)用領(lǐng)域：光電子器件、量子芯片、微納光學(xué)元件。
產(chǎn)品類別
科研版
關(guān)鍵詞
半導(dǎo)體裝備
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